Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente (Halbleiter-Elektronik)

Autor: Jörg Schulze Verlag: Springer Gebundene Ausgabe Auflage: 2005 Seiten: 429 ISBN-10: 3-540-23437-3 ISBN-13: 978-3-540-23437-1 ISBN: 3540234373 Preis: Preis und Verfügbarkeit anzeigen weitere Infos | Rezensionen | kaufen

Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente für Logikanwendungen CMOS, Speicheranwendungen DRAM, SRAM, EEPROM und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden.Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen. TOCLogik- und Speicherstrukturen.- Vertikal- und Quasivertikalkonzepte Silizium-basierter CMOS-Logik und Hochfrequenz-Technologie.- Silizium-Speicherstrukturen basierend auf vertikalen bzw. quasivertikalen Auswahl-Transistoren.- Vertikal- und Quasivertikalkonzepte der Silizium-basierten MOS-Leistungselektronik.- Zusammenfassung und Ausblick.- Literatur- und Sachverzeichnis. Quelle: